Technologie BiCS5 3D NAND

Nová technologie BiCS5 je postavena na technologiích TCL (triple-level-cell) respektive QLC (quad-level-cell) a poskytuje výjimečnou kapacitu, výkon a spolehlivost za příznivou cenu. Také přináší odpověď na požadavky trhu s exponenciálně rostoucím objemem dat např. u digitálně propojených automobilů, mobilních zařízení a umělé inteligence.

Výrobu čipů BiCS5 již WD zahájil a začal dodávat produkty s touto novou technologií. Plná sériová výroba se očekává v druhé polovině roku 2020. Produkty s technologií BiCS5 TLC a BiCS5 QLC budou dostupné v široké nabídce kapacit včetně 1,33 Tb.

„Se vstupem do nové dekády bylo nutné přehodnotit přístup k možnostem škálovatelnosti u technologie 3D NAND. Současně je nutné stále reagovat na požadavky spojené s růstem a rychlostí dat,” říká Steve Paak, viceprezident pro paměťové technologie a výrobu společnosti Western Digital, a dodává: „S novou technologií jsme výrazně zvýšili škálovatelnost kapacity a výkonu u naší technologie 3D NAND a současně poskytujeme spolehlivost a příznivou cenu, tedy to, co očekávají naši zákazníci.”

Technologie BiCS5 přináší aktuálně nejvyšší hustotu záznamu dosaženou u produktů této firmy a představuje současně nejpokročilejší technologii 3D NAND, která nyní využívá celou škálu nových prvků a výrobních inovací. Druhá generace pamětí s technologií multivrstev, vylepšený výrobní proces a další zlepšení u 3D NAND signifikantně zvyšují hustotu buněk umístěných horizontálně na waferu. Toto „laterální škálování” v kombinaci se 112 vrstvami vertikální paměti umožňuje v případě BiCS5 nabídnout až o 40 % vice úložné kapacity na jeden wafer při optimalizaci ceny (ve srovnání s technologií Western Digital s 96 vrstvami BiCS4). Nová konstrukční vylepšení také zvyšují požadovaný výkon a umožňují v případě BiCS5 nabídnout až o 50 % vyšší hodnoty IOPS (ve srovnání s BiCS4).